Behaviour of low energy As ions implanted in Si through a thin oxide layer

Ferri M;Parisini A;Solmi S;
2004

2004
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
ITC-Irst European workshop: Recent Advances in Ultra Shallow Junctions 24-25 Nov. 2004 Povo (TN)
Sì, ma tipo non specificato
Povo (TN)
6
none
Ferri, M; Parisini, A; Solmi, S; Bersani, M; Giubertoni, D; Barozzi, M
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/150119
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact