CNR Institutional Research Information System

In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors

Pettinari G;Salviati G;Lazzarini L;Armani N;Martelli F;Rubini S;Franciosi A;Mariucci L
2007
2007
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
INFM
28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006
Sì, ma tipo non specificato
Vienna, Austria.
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006 - AIP Conference Proceedings -- April 10, 2007 -- Volume 893, pp. 31-32
15
none
Felici, M; Polimeni, A; Masia, F; Trotta, R; Pettinari, G; Capizzi, M; Salviati, G; Lazzarini, L; Armani, N; Piccin, M; Bais, G; Martelli, F; Rubini, ...espandi
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/152278
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact