Role of C and Ge in the electrical activation of In implanted in Silicon.

S Scalese;V Privitera;M Italia;A La Magna;P Alippi;
2004

2004
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
SILICON FRONT-END JUNCTION FORMATION-PHYSICS AND TECHNOLOGY
Symposium on Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology held at the 2004 MRS Spring Meeting
13-15 Aprile 2004
S. Francisco (USA)
5
none
S. Scalese; V. Privitera; M. Italia; A. La Magna; P. Alippi; L. Renna
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/159819
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 0
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact