N. D.

SCHOTTKY-LIKE BEHAVIOR OF THE GaP(110)/Ag INTERFACE

1989

Abstract

N. D.
1989
Istituto di Struttura della Materia - ISM - Sede Roma Tor Vergata
Inglese
7
2
195
198
4
Fermi-level pinning
surface states
Schottky barriers
GaP
photoemission
1
info:eu-repo/semantics/article
262
CHIARADIA, P; FANFONI, M; NATALETTI, P; DE PADOVA, P; VITURRO, RE; BRILLSON, LJ
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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