CNR Institutional Research Information System

A novel mechanism to explain wafer bending during the growth of SiC on Si

Watts B E;Attolini G;Bosi M;Frigeri C
2008
2008
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Workshop Fabrication, Properties & Applications of Electroceramic Nanostructures / European Co-operation in the Field of Scientific and Technical Research
Genova
SiC
Growth
Bending
none
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Watts B. E.; Attolini G.; Bosi M.; Frigeri C.
275
04 Contributo in convegno::04.03 Poster in Atti di convegno
4
04.03 Poster in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/99312
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