Montedoro, Vincenzo
Montedoro, Vincenzo
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
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Epitaxial Growth of GaN/Ga2O3 and Ga2O3/GaN Heterostructures for Novel High Electron Mobility Transistors
2020 Leone, Stefano; Fornari, Roberto; Bosi, Matteo; Montedoro, Vincenzo; Kirste, Lutz; Doering, Philipp; Benkhelifa, Fouad; Prescher, Mario; Manz, Christian; Polyakov, Vladimir; Ambacher, Oliver
Si and Sn doping of epsilon-Ga2O3 layers
2019 Parisini, A.; Bosio, A.; Montedoro, V.; Gorreri, A.; Lamperti, A.; Bosi, M.; Garulli, G.; Vantaggio, S.; Fornari, R.
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| Epitaxial Growth of GaN/Ga2O3 and Ga2O3/GaN Heterostructures for Novel High Electron Mobility Transistors | 1-gen-2020 | Leone, Stefano; Fornari, Roberto; Bosi, Matteo; Montedoro, Vincenzo; Kirste, Lutz; Doering, Philipp; Benkhelifa, Fouad; Prescher, Mario; Manz, Christian; Polyakov, Vladimir; Ambacher, Oliver | |
| Si and Sn doping of epsilon-Ga2O3 layers | 1-gen-2019 | Parisini, A.; Bosio, A.; Montedoro, V.; Gorreri, A.; Lamperti, A.; Bosi, M.; Garulli, G.; Vantaggio, S.; Fornari, R. |