ARDUCA, ELISA

ARDUCA, ELISA  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Control of Doping Level in Semiconductors via Self-Limited Grafting of Phosphorus End-Terminated Polymers 1-gen-2018 Perego, Michele; Seguini, Gabriele; Arduca, Elisa; Nomellini, Andrea; Sparnacci, Katia; Antonioli, Diego; Gianotti, Valentina; Laus, Michele
Electronic band structures of undoped and P-doped Si nanocrystals embedded in SiO2 1-gen-2018 Arduca, E; Seguini, G; Martella, C; Lamperti, A; Napolitani, E; De Salvador, D; Nicotra, G; Scuderi, M; Spinella, C; Perego, M
Evolution of shape, size, and areal density of a single plane of Si nanocrystals embedded in SiO2 matrix studied by atom probe tomography 1-gen-2016 Han, Bin; Shimizu, Yasuo; Seguini, Gabriele; Arduca, Elisa; Castro, Celia; Ben Assayag, Gerard; Inoue, Koji; Nagai, Yasuyoshi; SchammChardon, Sylvie; Perego, Michele
Modeling of phosphorus diffusion in silicon oxide and incorporation in silicon nanocrystals 1-gen-2016 Mastromatteo, Massimo; De Salvador, Davide; Napolitani, Enrico; Arduca, Elisa; Seguini, Gabriele; Frascaroli, Jacopo; Perego, Michele; Nicotra, Giuseppe; Spinella, Corrado; Lenardi, Cristina; Carnera, Alberto
Synthesis and characterization of P delta-layer in SiO2 by monolayer doping 1-gen-2016 Arduca, Elisa; Mastromatteo, Massimo; De Salvador, Davide; Seguini, Gabriele; Lenardi, Cristina; Napolitani, Enrico; Perego, Michele
Thermodynamic stability of high phosphorus concentration in silicon nanostructures 1-gen-2015 Perego, Michele; Seguini, Gabriele; Arduca, Elisa; Frascaroli, Jacopo; DE SALVADOR, Davide; Mastromatteo, Massimo; Carnera, Alberto; Nicotra, Giuseppe; Scuderi, Mario; Spinella, Corrado; Impellizzeri, Giuliana; Lenardi, Cristina; Napolitani, Enrico
Quantification of phosphorus diffusion and incorporation in silicon nanocrystals embedded in silicon oxide 1-gen-2014 Mastromatteo, M.; Arduca, E.; Napolitani, E.; Nicotra, G.; De Salvador, D.; Bacci, L.; Frascaroli, J.; Seguini, G.; Scuderi, M.; Impellizzeri, G.; Spinella, C.; Perego, M.; Carnera, A.