Boschi, Francesco

Boschi, Francesco  

Mostra records
Risultati 1 - 7 di 7 (tempo di esecuzione: 0.019 secondi).
Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Crystal structure and ferroelectric properties of epsilon-Ga2O3 films grown on (0001)-sapphire 1-gen-2016 Mezzadri F.; Calestani G.; Boschi F.; Delmonte D.; Bosi M.; Fornari R.
Cubic Silicon Carbide Nanowires 1-gen-2015 Negri, Marco; Rossi, Francesca; Attolini, Giovanni; Fabbri, Filippo; Dhanabalan, SATHISH CHANDER; Boschi, Francesco; Bosi, Matteo; Nardi, MARCO VITTORIO; Salviati, Giancarlo
epsilon-Ga2O3 epilayers as a material for solar-blind UV photodetectors 1-gen-2018 Pavesi, M; Fabbri, F; Boschi, F; Piacentini, G; Baraldi, A; Bosi, M; Gombia, E; Parisini, A; Fornari, R
Growth of SiC NWs by vapor phase technique using Fe as catalyst 1-gen-2014 Attolini, Giovanni; Rossi, Francesca; Negri, Marco; Dhanabalan, SATHISH CHANDER; Bosi, Matteo; Boschi, Francesco; Lagonegro, Paola; Lupo, Pierpaolo; Salviati, Giancarlo
Hetero-epitaxy of epsilon-Ga2O3 layers by MOCVD and ALD 1-gen-2016 Boschi F.; Bosi M.; Berzina T.; Buffagni E.; Ferrari C.; Fornari R.
SiC NWs grown on silicon substrate using Fe as catalyst 1-gen-2015 Lagonegro, P; Bosi, M; Attolini, G; Negri, M; Dhanabalan, SATHISH CHANDER; Rossi, F; Boschi, F; Lupo, P P; Besagni, T; Salviati, G
The real structure of Ga2O3 and its relation to epsilon-phase 1-gen-2017 Cora I.; Mezzadri F.; Boschi F.; Bosi M.; Kaploviková M.; Calestani G.; Dódony I.; Pécz B.; Fornari R.