LOCATELLI, LORENZO

LOCATELLI, LORENZO  

Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM  

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Exploiting the Close-to-Dirac Point Shift of the Fermi Level in the Sb2Te3/Bi2Te3 Topological Insulator Heterostructure for Spin-Charge Conversion 1-gen-2023 Longo, E.; Locatelli, L.; Tsipas, P.; Lintzeris, A.; Dimoulas, A.; Fanciulli, M.; Longo, M.; Mantovan, R.
Large Spin-to-Charge Conversion at Room Temperature in Extended Epitaxial Sb2Te3 Topological Insulator Chemically Grown on Silicon 1-gen-2022 Longo, E.; Belli, M.; Alia, M.; Rimoldi, M.; Cecchini, R.; Longo, M.; Wiemer, C.; Locatelli, L.; Tsipas, P.; Dimoulas, A.; Gubbiotti, G.; Fanciulli, M.; Mantovan, R.
Large-Area MOVPE Growth of Topological Insulator Bi2Te3Epitaxial Layers on i-Si(111) 1-gen-2021 Kumar, Arun; Cecchini, Raimondo; Locatelli, Lorenzo; Wiemer, Claudia; Martella, Christian; Nasi, Lucia; Lazzarini, Laura; Mantovan, Roberto; Longo, Massimo
Spin-Charge Conversion in Fe/Au/Sb2Te3 Heterostructures as Probed By Spin Pumping Ferromagnetic Resonance 1-gen-2021 Longo, E; Locatelli, L; Belli, M; Alia, M; Kumar, A; Longo, M; Fanciulli, M; Mantovan, R