CANNIZZARO, ANNALISA

CANNIZZARO, ANNALISA  

Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Advanced approach of bulk (111) 3C-SiC epitaxial growth 1-gen-2024 Calabretta, C.; Scuderi, V.; Bongiorno, C.; Anzalone, R.; Reitano, R.; Cannizzaro, A.; Mauceri, M.; Crippa, D.; Boninelli, S.; La Via, F.
Impact of Nitrogen on the Selective Closure of Stacking Faults in 3C-SiC 1-gen-2022 Calabretta, Cristiano; Scuderi, Viviana; Bongiorno, Corrado; Cannizzaro, Annalisa; Anzalone, Ruggero; Calcagno, Lucia; Mauceri, Marco; Crippa, Danilo; Boninelli, Simona; La Via, Francesco
Effect of nitrogen and aluminum doping on 3c-sic heteroepitaxial layers grown on 4◦ off-axis si (100) 1-gen-2021 Calabretta, C.; Scuderi, V.; Anzalone, R.; Mauceri, M.; Crippa, D.; Cannizzaro, A.; Boninelli, S.; La Via, F.
High-temperature nitrogen annealing induced bonding states and photoluminescence changes in inductively coupled plasma torch synthesized silicon nanostructures 1-gen-2020 Freddi, Sonia; Fabbri, Filippo; Cannizzaro, Annalisa; Agati, MARTA ANTONELLA; Dolbec, Richard; Drera, Giovanni; Pagliara, Stefania; Sangaletti, Luigi; El Khakani My, Ali; Boninelli, SIMONA MARIA CRISTINA; Castrucci, Paola