FAZIO, TOMMASO
FAZIO, TOMMASO
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
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Stability and decoherence analysis of the silicon vacancy in 3C-SiC
2024 Fazio, T.; Deretzis, I.; Fisicaro, G.; Paladino, E.; La Magna, A.
Aluminum Frenkel defects cause hysteresis in Al2O3/AlGaN capacitors
2022 Deretzis, I.; Fiorenza, P.; Fazio, T.; Schiliro', E.; Lo Nigro, R.; Greco, G.; Fisicaro, G.; Roccaforte, F.; La Magna, A.
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Stability and decoherence analysis of the silicon vacancy in 3C-SiC | 1-gen-2024 | Fazio, T.; Deretzis, I.; Fisicaro, G.; Paladino, E.; La Magna, A. | |
Aluminum Frenkel defects cause hysteresis in Al2O3/AlGaN capacitors | 1-gen-2022 | Deretzis, I.; Fiorenza, P.; Fazio, T.; Schiliro', E.; Lo Nigro, R.; Greco, G.; Fisicaro, G.; Roccaforte, F.; La Magna, A. |