SANGREGORIO, ENRICO
SANGREGORIO, ENRICO
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
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High-Voltage 4H-SiC PiN Diodes: Ion Implantation vs. Epitaxial Growth for Wide-Temperature Operation
2026 Mancuso, A. S.; De Luca, S.; Sangregorio, E.; Muoio, A.; Gallo, E.; Vanellone, S.; Quadrivi, E.; Trotta, A.; Calcagno, L.; Tudisco, S.; La Via, F.
Defects Induced by High-Temperature Neutron Irradiation in 250 µm-Thick 4H-SiC p-n Junction Detector
2025 Mancuso, A. S.; Sangregorio, E.; Muoio, A.; De Luca, S.; Kushoro, M. H.; Gallo, E.; Vanellone, S.; Quadrivi, E.; Trotta, A.; Calcagno, L.; La Via, F.
Numerical simulations for neutron detector optimization
2025 Muoio, A.; De Luca, S.; Mancuso, A. S.; Minniti, T.; Sangregorio, E.; La Via, F.
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| High-Voltage 4H-SiC PiN Diodes: Ion Implantation vs. Epitaxial Growth for Wide-Temperature Operation | 1-gen-2026 | Mancuso, A. S.; De Luca, S.; Sangregorio, E.; Muoio, A.; Gallo, E.; Vanellone, S.; Quadrivi, E.; Trotta, A.; Calcagno, L.; Tudisco, S.; La Via, F. | |
| Defects Induced by High-Temperature Neutron Irradiation in 250 µm-Thick 4H-SiC p-n Junction Detector | 1-gen-2025 | Mancuso, A. S.; Sangregorio, E.; Muoio, A.; De Luca, S.; Kushoro, M. H.; Gallo, E.; Vanellone, S.; Quadrivi, E.; Trotta, A.; Calcagno, L.; La Via, F. | |
| Numerical simulations for neutron detector optimization | 1-gen-2025 | Muoio, A.; De Luca, S.; Mancuso, A. S.; Minniti, T.; Sangregorio, E.; La Via, F. |