CNR Institutional Research Information System

Procedimento per la realizzazione di elettrodi di contatto per dispositivi elettronici, in particolare per la realizzazione di elettrodi di gate per transistor ad effetto di campo

Mariucci L;Fortunato G
2003
2003
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
Processi litografici
disposit.a can.corto
disp. per microonde
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Il processo brevettato è stato sviluppato nell’ambito di una collaborazione con Alenia Marconi System (AMS) per la realizzazioni di dispositivi per iperfrequenze. Tale processo si adatta ottimamente alla fabbricazione di elettrodi di gate per transistor a effetto campo, soprattutto dispositivi per applicazioni ad alta frequenza dove la riduzione della dimensione del gate e la bassa resistenza di contatto sono essenziale. I principali vantaggi consistono nella riduzione dei costi, dei tempi di lavoro, e nella “accessibilità” della tecnica. La tecnica più diffusa nella fabbricazione di nanostrutture è la litografia elettronica, i cui inconvenienti sono proprio i lunghi tempi, e gli alti costi di fabbricazione. Visti i vantaggi del presente processo, possibilità di fabbricare gate di dimensione minima attraverso la litografia ottica convenzionale, si sta valutando il trasferimento tecnologico presso AMS.
3
06 Brevetti::06.01 Brevetto di invenzione industriale
none
De Angelis, F; Mariucci, L; Fortunato, G
info:eu-repo/semantics/patent
285
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/131254
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