CNR Institutional Research Information System

Method for manufacturing isolating structures

2004
2004
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Silicon carbide
Radio frequency
Isolation
Implantation
Oxidation
E' stato ideato un metodo per formare strutture isolate in uno strato di carburo di silicio (SiC). Il metodo consiste nel depositare uno strato mascherante sulla prima e sulla seconda porzione dello strato di SiC. Successivamente vengono realizzate delle aperture attraverso lo strato mascherante lasciando scoperta la prima porzione di SiC. Ioni vengono impiantati in questa porzione di materiale. Il SiC è quindi riscaldato per formare in queste zone impiantate uno strato di ossido. La primaa porzione (ossidata) è attaccatta chimicamente formando zone isolate sullo strato di carburo di silicio.
2
06 Brevetti::06.01 Brevetto di invenzione industriale
none
Raineri, V; Saggio, M
info:eu-repo/semantics/patent
285
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/142264
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