Nanospettroscopia ottica quantitativa ad alta risoluzione laterale ed in profondità

Lo studio delle proprietà ottiche di semiconduttori per applicazioni opto e nanoelettroniche è di fondamentale importanza per il miglioramento delle prestazioni dei dispositivi. Tra le tecniche di caratterizzazione ottica in grado di fornire un’informazione quantitativa su scala nanometrica, la Catodoluminescenza è l’unica che consenta di variare contemporaneamente volumi (risoluzione in profondità), densità di iniezione (studio dei livelli eccitati) e risoluzione laterale senza mutare la sorgente di illuminazione. Presso IMEM è stato avviato lo sviluppo quantitativo della tecnica determinando della densità dei portatori mediante la simulazione e verifica sperimentalmente dei processi su cui si basa l’emissione di Catodoluminescenza. Ciò ha consentito ad esempio lo studio di emissioni ottiche di strutture verticali di punti quantici per laser IR e VIS, il calcolo dell’entità di campi interni in buche quantiche in condizioni di banda piatta per laser e LED VIS, la determinazione delle transizioni ottiche di singoli nanofili di ossidi semiconduttori per sensori di gas etc. Ciò ha reso possibile partecipare ad un Progetto Europeo nel V FP, avere finanziato e coordinato un Progetto di Grande Rilevanza del MAE in collaborazione con NTT-JAP, pubblicare numerosi lavori su riviste internazionali, ottenere comunicazioni su invito a conferenze internazionali, partecipare a due Laboratori di Eccellenza della Regione Emilia Romagna ed avvalersi di due Visiting Professors per un anno.