É stato sviluppato un processo di fabbricazione di rivelatori IR di tipo termoelettrico costitutiti da termocoppie di polisilicio fortemente drogato con connessioni di alluminio o platino, realizzati su membrane dielettriche microlavorate dal fronte su substrati di silicio massivi. All'interno dell'area utile del dispositivo, è stato integrato un assorbitore interferometrico che permette di incrementare notevolmente la potenza ottica assorbita dal dispositivo nella banda 3-5 µm (utile per gas sensing NDIR nella prima finestra atmosferica).
Processo di fabbricazione di rivelatori IR di tipo termoelettrico con layer interferometrico ad elevato assorbimento nella banda 3-5 µm
Roncaglia A;Mancarella F;Cardinali GC
2004
Abstract
É stato sviluppato un processo di fabbricazione di rivelatori IR di tipo termoelettrico costitutiti da termocoppie di polisilicio fortemente drogato con connessioni di alluminio o platino, realizzati su membrane dielettriche microlavorate dal fronte su substrati di silicio massivi. All'interno dell'area utile del dispositivo, è stato integrato un assorbitore interferometrico che permette di incrementare notevolmente la potenza ottica assorbita dal dispositivo nella banda 3-5 µm (utile per gas sensing NDIR nella prima finestra atmosferica).File in questo prodotto:
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