Questo documento costituisce il Rapporto Finale dell'attività svolta dal Dr. Enrico Prati dal 30 Ottobre 2015 al 19 Novembre 2015 presso la Waseda University Tokyo nel contesto dello Short Term Mobility 2015 del CNR. Esso riporta i risultati relativi al processo e alla precaratterizzazione elettrica di transistor di silicio il cui canale è impiantato di atomi di erbio, un tipo di atomo rilevante per l'integrazione della fotonica nel silicio per le sue proprietà ottiche a 1540 nm.
Process and pre-characterization of erbium doped silicon transistors
Enrico Prati
2015
Abstract
Questo documento costituisce il Rapporto Finale dell'attività svolta dal Dr. Enrico Prati dal 30 Ottobre 2015 al 19 Novembre 2015 presso la Waseda University Tokyo nel contesto dello Short Term Mobility 2015 del CNR. Esso riporta i risultati relativi al processo e alla precaratterizzazione elettrica di transistor di silicio il cui canale è impiantato di atomi di erbio, un tipo di atomo rilevante per l'integrazione della fotonica nel silicio per le sue proprietà ottiche a 1540 nm.File in questo prodotto:
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