Protezione di leghe metalliche mediante deposizione ALD di film sottili a matrice ossidica a basso indice di rifrazione

E' stato studiato un metodo di deposizione ALD per la crescita di SiO2 con discrete velocità di deposizione. Dalle prove preliminari effettuate si è evidenziata la necessità di realizzare ulteriori studi di approfondimento per risolvere le problematiche associate a fenomeni di interferenza che possono indurre variazioni di colore delle leghe metalliche ricoperte. Inoltre, poiché il processo necessita la presenza di Al come catalizzatore per la crescita dell'ossido di Si, si considera l'ulteriore possibilità di ottimizzare il film protettivo mediante sistemi multilayer a base di Al2O3 e SiO2 a basso indice di rifrazione.