Continuazione dello svolgimento dell'attività di ricerca dal titolo "Protezione di leghe metalliche mediante deposizione ALD di film sottili a matrice ossidica a basso indice di rifrazione".

E' stata verificata la possibilità di depositare layer di SiO2 via rapid-ALD, a basse temperature e compatibili con i manufatti da rivestire. L'introduzione di un buffer-layer di TiO2 da interporre tra il substrato e la silice potrà favorire l'aggraffaggio del catalizzatore di Al in modo omogeneo su tutta la superficie del substrato grazie alla presenza dei siti -OH della TiO2; inoltre l'effetto indotto da esposizione alla radiazione UV tra un layer e l'altro di SiO2 potrebbe indurre un consolidamento della fase depositata prima della successiva crescita della silice.