Attività svolta nell'ambito della collaborazione fra Istituto LAMEL, CNR e SGS ATES, incentrata sulle applicazioni del laser e dell'irraggiamento con elettroni alla tecnologia MOS. Caratterizzazione di strati di silicio policristallino e monocristallino drogati con arsenico e ricristallizzati con impulsi laser.
Caratterizzazione di strati di silicio monocristallino pesantemente impiantati As e irraggiati con laser
1981
Abstract
Attività svolta nell'ambito della collaborazione fra Istituto LAMEL, CNR e SGS ATES, incentrata sulle applicazioni del laser e dell'irraggiamento con elettroni alla tecnologia MOS. Caratterizzazione di strati di silicio policristallino e monocristallino drogati con arsenico e ricristallizzati con impulsi laser.File in questo prodotto:
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