Il rapporto di ricerca riassume i risultati dello studio realizzato su dispositivi microelettronici realizzati su silicio. I dispositivi sono stati tagliati da wafer di silicio e caratterizzati mediante magnetometria a gradiente di campo e analisi termomagnetica per ricavare le caratteristiche magnetiche (campo coercitivo, magnetizzazione di saturazione, magnetizzazione rimanente, campo di saturazione, temperatura di Curie). E' stato studiato l'effetto di trattamenti termici.

Misura dei cicli d'isteresi a temperatura ambiente e analisi termomagnetica di dispositivi microelettronici

Simone Fabbrici;Francesca Casoli;Franca Albertini
2015

Abstract

Il rapporto di ricerca riassume i risultati dello studio realizzato su dispositivi microelettronici realizzati su silicio. I dispositivi sono stati tagliati da wafer di silicio e caratterizzati mediante magnetometria a gradiente di campo e analisi termomagnetica per ricavare le caratteristiche magnetiche (campo coercitivo, magnetizzazione di saturazione, magnetizzazione rimanente, campo di saturazione, temperatura di Curie). E' stato studiato l'effetto di trattamenti termici.
2015
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Magnetometria
Analisi termomagnetica
Dispositivi microelettronici
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/376887
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