Questo documento riporta sinteticamente i risultati delle prove di tenuta elettrica eseguite su una piastrina di rame ricoperta da un film di Al2O3 (ossido di alluminio, comunemente detto allumina), depositato tramite tecnica denominata "Atmospheric Plasma Spray" (APS). I test sono stati condotti in camera da vuoto in presenza di un plasma debolmente ionizzato. Gli esperimenti sono stati eseguiti misurando contemporaneamente la resistenza elettrica del campione, i parametri di plasma e la temperatura superficiale dello strato di allumina, al variare della pressione e della potenza elettrica accoppiata al plasma. I risultati dei test condotti mostrano che la temperatura superficiale del campione non ha influenza sulle capacità isolanti dello strato di materiale ceramico. Si osserva invece una dipendenza della resistenza elettrica dal campo elettrico superficiale e dalla pressione totale del gas in camera da vuoto.
Caratterizzazione della resistenza elettrica di campioni di rame con ricoprimento isolante in allumina in presenza di plasma debolmente ionizzato.
Zuin M;Spolaore M;
2020
Abstract
Questo documento riporta sinteticamente i risultati delle prove di tenuta elettrica eseguite su una piastrina di rame ricoperta da un film di Al2O3 (ossido di alluminio, comunemente detto allumina), depositato tramite tecnica denominata "Atmospheric Plasma Spray" (APS). I test sono stati condotti in camera da vuoto in presenza di un plasma debolmente ionizzato. Gli esperimenti sono stati eseguiti misurando contemporaneamente la resistenza elettrica del campione, i parametri di plasma e la temperatura superficiale dello strato di allumina, al variare della pressione e della potenza elettrica accoppiata al plasma. I risultati dei test condotti mostrano che la temperatura superficiale del campione non ha influenza sulle capacità isolanti dello strato di materiale ceramico. Si osserva invece una dipendenza della resistenza elettrica dal campo elettrico superficiale e dalla pressione totale del gas in camera da vuoto.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.


