The present study employs density functional theory to investigate multiple properties of neutral divacancies close to H terminated surface in cubic silicon carbide, a promising material for use in quantum technologies.
Ab initio analysis of close to surface divacancies in 3C-SiC
Rosario Gaetano Viglione
Writing – Original Draft Preparation
2024
Abstract
The present study employs density functional theory to investigate multiple properties of neutral divacancies close to H terminated surface in cubic silicon carbide, a promising material for use in quantum technologies.File in questo prodotto:
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