Caratterizzazione Dinamica di un Ponte H con Tecnologia SiC con Carico Capacitivo, Resistivo e Induttivo

Caratterizzazione Dinamica di un Ponte H con Tecnologia SiC

david bencini
2026

Abstract

Caratterizzazione Dinamica di un Ponte H con Tecnologia SiC con Carico Capacitivo, Resistivo e Induttivo
2026
Istituto Nazionale di Ottica - INO - Sede Secondaria di Sesto Fiorentino
ponte H, Mosfet SiC
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
Caratterizzazione Dinamica di un Ponte H con Tecnologia SiC.pdf

solo utenti autorizzati

Licenza: NON PUBBLICO - Accesso privato/ristretto
Dimensione 2.77 MB
Formato Adobe PDF
2.77 MB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/568321
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact