BONAFE', FILIPPO
BONAFE', FILIPPO
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
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Mechanism Governing Surface Roughening of Al Ion Implanted 4H-SiC during Annealing under a C-Cap
2022 Canino, Mariaconcetta; Mancarella, Fulvio; Bonafe, Filippo; Corticelli, Franco; Albonetti, Cristiano; Nipoti, Roberta
Phosphorous and Aluminum Implantation for MOSFET Manufacturing: Revisiting Implantation Dose Rate and Subsequent Surface Morphology
2022 Woerle, J.; Belanche, M.; Negri, M.; Lamontagne, C.; Bonafe', F.; Nipoti, R.; Grossner, U.
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| Mechanism Governing Surface Roughening of Al Ion Implanted 4H-SiC during Annealing under a C-Cap | 1-gen-2022 | Canino, Mariaconcetta; Mancarella, Fulvio; Bonafe, Filippo; Corticelli, Franco; Albonetti, Cristiano; Nipoti, Roberta | |
| Phosphorous and Aluminum Implantation for MOSFET Manufacturing: Revisiting Implantation Dose Rate and Subsequent Surface Morphology | 1-gen-2022 | Woerle, J.; Belanche, M.; Negri, M.; Lamontagne, C.; Bonafe', F.; Nipoti, R.; Grossner, U. |