SELMO, SIMONE

SELMO, SIMONE  

Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM - Sede Secondaria Agrate Brianza  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
In-doped Sb nanowires grown by MOCVD for high speed phase change memories 1-gen-2019 Cecchini, R.; Selmo, S.; Wiemer, C.; Fanciulli, M.; Rotunno, E.; Lazzarini, L.; Rigato, M.; Pogany, D.; Lugstein, A.; Longo, M.
Single-step Au-catalysed synthesis and microstructural characterization of core-shell Ge/In-Te nanowires by MOCVD 1-gen-2018 Cecchini, Raimondo; Selmo, Simone; Wiemer, Claudia; Rotunno, Enzo; Lazzarini, Laura; De Luca, Marta; Zardo, Ilaria; Longo, Massimo
Low power phase change memory switching of ultra-thin In3Sb1Te2 nanowires 1-gen-2016 Selmo, S; Cecchini, R; Cecchi, S; Wiemer, C; Fanciulli, M; Rotunno, E; Lazzarini, L; Rigato, M; Pogany, A; Lugstein, A; Longo, M
Thermal resistance measurement of In3SbTe2 nanowires 1-gen-2016 Battaglia J.L.; Saci A.; De I.; Cecchini R.; Selmo S.; Fanciulli M.; Cecchi S.; Longo M.