MELI, ALESSANDRO

MELI, ALESSANDRO  

Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Performance of a thick 250 mi m silicon carbide detector: stability and energy resolution 1-gen-2023 Kushoro, M. H.; Rebai, M.; La Via, F.; Meli, A.; Meda, L.; Parisi, M.; Perelli Cippo, E.; Putignano, O.; Trotta, A.; Tardocchi, M.
Effect of the Oxidation Process on Carrier Lifetime and on SF Defects of 4H SiC Thick Epilayer for Detection Applications 1-gen-2022 Meli, A.; Muoio, A.; Reitano, R.; Sangregorio, E.; Calcagno, L.; Trotta, A.; Parisi, M.; Meda, L.; La Via, F.
Optical Characterization of 4H-SiC Thick Epitaxial Layer for Particle Detection 1-gen-2022 Meli, A.; Muoio, A.; Riccardo, R.; Trotta, A.; Parisi, M.; Meda, L.; La Via, F.
Detector Response to D-D Neutrons and Stability Measurements with 4H Silicon Carbide Detectors 1-gen-2021 Kushoro, Matteo Hakeem; Rebai, Marica; Tardocchi, Marco; Altana, Carmen; Cazzaniga, Carlo; De Marchi, Eliana; La Via, Francesco; Meda, Laura; Meli, Alessandro; Parisi, Miriam; Perelli Cippo, Enrico; Pillon, Mario; Trotta, Antonio; Tudisco, Salvo; Gorini, Giuseppe