DIAZ FATTORINI, ADRIANO
DIAZ FATTORINI, ADRIANO
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Ge Enrichment of Ge–Sb–Te Alloys as Keystone of Flexible Edge Electronics
2024 Calvi, S.; Bertelli, M.; De Simone, S.; Maita, F.; Prili, S.; Diaz Fattorini, A.; De Matteis, F.; Mussi, V.; Righi Riva, F.; Longo, M.; Arciprete, F.; Calarco, R.
Stable chalcogenide Ge–Sb–Te heterostructures with minimal Ge segregation
2024 Bertelli, M.; Sfuncia, G.; De Simone, S.; Diaz Fattorini, A.; Calvi, S.; Mussi, V.; Arciprete, F.; Mio, A. M.; Calarco, R.; Longo, M.
Interface Formation during the Growth of Phase Change Material Heterostructures Based on Ge-Rich Ge-Sb-Te Alloys
2022 Chèze, Caroline; Righi Riva, Flavia; Di Bella, Giulia; Placidi, Ernesto; Prili, Simone; Bertelli, Marco; DIAZ FATTORINI, Adriano; Longo, Massimo; Calarco, Raffaella; Bernasconi, Marco; Abou El Kheir, Omar; Arciprete, Fabrizio
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| Ge Enrichment of Ge–Sb–Te Alloys as Keystone of Flexible Edge Electronics | 1-gen-2024 | Calvi, S.; Bertelli, M.; De Simone, S.; Maita, F.; Prili, S.; Diaz Fattorini, A.; De Matteis, F.; Mussi, V.; Righi Riva, F.; Longo, M.; Arciprete, F.; Calarco, R. | |
| Stable chalcogenide Ge–Sb–Te heterostructures with minimal Ge segregation | 1-gen-2024 | Bertelli, M.; Sfuncia, G.; De Simone, S.; Diaz Fattorini, A.; Calvi, S.; Mussi, V.; Arciprete, F.; Mio, A. M.; Calarco, R.; Longo, M. | |
| Interface Formation during the Growth of Phase Change Material Heterostructures Based on Ge-Rich Ge-Sb-Te Alloys | 1-gen-2022 | Chèze, Caroline; Righi Riva, Flavia; Di Bella, Giulia; Placidi, Ernesto; Prili, Simone; Bertelli, Marco; DIAZ FATTORINI, Adriano; Longo, Massimo; Calarco, Raffaella; Bernasconi, Marco; Abou El Kheir, Omar; Arciprete, Fabrizio |