ZIGNALE, MARCO
 Distribuzione geografica
Continente #
AS - Asia 75
NA - Nord America 74
EU - Europa 53
Continente sconosciuto - Info sul continente non disponibili 22
SA - Sud America 15
AF - Africa 4
OC - Oceania 1
Totale 244
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 61
SG - Singapore 31
IT - Italia 22
CN - Cina 18
VN - Vietnam 12
BR - Brasile 10
FR - Francia 7
GB - Regno Unito 7
HK - Hong Kong 6
CA - Canada 3
DE - Germania 3
MX - Messico 3
BD - Bangladesh 2
EC - Ecuador 2
FI - Finlandia 2
IE - Irlanda 2
IN - India 2
JM - Giamaica 2
NL - Olanda 2
PA - Panama 2
PL - Polonia 2
ZA - Sudafrica 2
AR - Argentina 1
AZ - Azerbaigian 1
BF - Burkina Faso 1
CO - Colombia 1
CZ - Repubblica Ceca 1
DK - Danimarca 1
DO - Repubblica Dominicana 1
ES - Italia 1
HN - Honduras 1
JO - Giordania 1
JP - Giappone 1
KE - Kenya 1
MQ - Martinica 1
NZ - Nuova Zelanda 1
PT - Portogallo 1
PY - Paraguay 1
QA - Qatar 1
RU - Federazione Russa 1
UA - Ucraina 1
Totale 222
Città #
Singapore 19
San Jose 11
Dallas 8
Beijing 6
Hong Kong 6
Los Angeles 6
Lauterbourg 5
Rome 5
Ho Chi Minh City 4
Ashburn 3
Hanoi 3
New York 3
Cavallino 2
Chennai 2
Denver 2
Dublin 2
Florence 2
Katy 2
Lappeenranta 2
Montreal 2
Newnan 2
Orem 2
Panama City 2
Quito 2
Quận Phú Nhuận 2
Santa Clara 2
Shenzhen 2
Shijiazhuang 2
Afragola 1
Amman 1
Asunción 1
Baku 1
Benevides 1
Bexley 1
Biên Hòa 1
Bom Jesus do Itabapoana 1
Bucaramanga 1
Buffalo 1
Chavantes 1
Coventry 1
Cumaru 1
Curitiba 1
Dnipro 1
Doha 1
Falkenstein 1
Fort-de-France 1
Frankfurt am Main 1
Greensboro 1
Hamilton 1
Hartford 1
Houston 1
Johannesburg 1
Jundiaí 1
Kingston 1
Leeds 1
Lisbon 1
Mandeville 1
Marseille 1
Messina 1
Mexico City 1
Miami 1
Milan 1
Monte Grande 1
Munich 1
Nairobi 1
Natal 1
Nova Esperança 1
Ottawa 1
Pachuca 1
Poplar 1
Portsmouth 1
Potchefstroom 1
Prague 1
Puyallup 1
Quảng Ninh 1
San Gregorio di Catania 1
San Pedro Sula 1
Santo Domingo 1
São Gonçalo 1
São Paulo 1
Tokyo 1
Veracruz 1
Wilmington 1
Wroclaw 1
Totale 167
Nome #
Complementary Two Dimensional Carrier Profiles of 4H-SiC MOSFETs by Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy 64
Electrical and Structural Properties of Ohmic Contacts of SiC Diodes Fabricated on Thin Wafers 61
Understanding the impact of extended crystalline defects on 4H-SiC power MOSFETs by multiscale correlative electrical, optical and thermal characterizations 60
Impact of the NO annealing duration on the SiO2/4H–SiC interface properties in lateral MOSFETs: The energetic profile of the near-interface-oxide traps 59
Totale 244
Categoria #
all - tutte 662
article - articoli 458
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.120


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2024/202577 0 0 0 0 0 21 14 4 3 3 14 18
2025/2026155 7 20 18 15 27 7 19 5 14 17 5 1
2026/202712 12 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Totale 244