ZIGNALE, MARCO
 Distribuzione geografica
Continente #
AS - Asia 75
NA - Nord America 63
EU - Europa 51
SA - Sud America 15
AF - Africa 4
OC - Oceania 1
Totale 209
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 53
SG - Singapore 31
IT - Italia 20
CN - Cina 18
VN - Vietnam 12
BR - Brasile 10
FR - Francia 7
GB - Regno Unito 7
HK - Hong Kong 6
CA - Canada 3
DE - Germania 3
MX - Messico 3
BD - Bangladesh 2
EC - Ecuador 2
FI - Finlandia 2
IE - Irlanda 2
IN - India 2
NL - Olanda 2
PA - Panama 2
PL - Polonia 2
ZA - Sudafrica 2
AR - Argentina 1
AZ - Azerbaigian 1
BF - Burkina Faso 1
CO - Colombia 1
CZ - Repubblica Ceca 1
DK - Danimarca 1
DO - Repubblica Dominicana 1
ES - Italia 1
JM - Giamaica 1
JO - Giordania 1
JP - Giappone 1
KE - Kenya 1
NZ - Nuova Zelanda 1
PT - Portogallo 1
PY - Paraguay 1
QA - Qatar 1
RU - Federazione Russa 1
UA - Ucraina 1
Totale 209
Città #
Singapore 19
San Jose 11
Dallas 8
Beijing 6
Hong Kong 6
Lauterbourg 5
Los Angeles 5
Ho Chi Minh City 4
Rome 4
Ashburn 3
Hanoi 3
Cavallino 2
Chennai 2
Denver 2
Dublin 2
Florence 2
Lappeenranta 2
Montreal 2
New York 2
Orem 2
Panama City 2
Quito 2
Quận Phú Nhuận 2
Shenzhen 2
Shijiazhuang 2
Amman 1
Asunción 1
Baku 1
Benevides 1
Bexley 1
Biên Hòa 1
Bom Jesus do Itabapoana 1
Bucaramanga 1
Buffalo 1
Chavantes 1
Coventry 1
Cumaru 1
Curitiba 1
Dnipro 1
Doha 1
Falkenstein 1
Frankfurt am Main 1
Greensboro 1
Hamilton 1
Hartford 1
Johannesburg 1
Jundiaí 1
Kingston 1
Leeds 1
Lisbon 1
Marseille 1
Messina 1
Mexico City 1
Miami 1
Milan 1
Monte Grande 1
Munich 1
Nairobi 1
Natal 1
Nova Esperança 1
Ottawa 1
Pachuca 1
Poplar 1
Portsmouth 1
Potchefstroom 1
Prague 1
Puyallup 1
Quảng Ninh 1
San Gregorio di Catania 1
Santa Clara 1
Santo Domingo 1
São Gonçalo 1
São Paulo 1
Tokyo 1
Veracruz 1
Wilmington 1
Wroclaw 1
Totale 154
Nome #
Complementary Two Dimensional Carrier Profiles of 4H-SiC MOSFETs by Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy 61
Electrical and Structural Properties of Ohmic Contacts of SiC Diodes Fabricated on Thin Wafers 58
Understanding the impact of extended crystalline defects on 4H-SiC power MOSFETs by multiscale correlative electrical, optical and thermal characterizations 56
Impact of the NO annealing duration on the SiO2/4H–SiC interface properties in lateral MOSFETs: The energetic profile of the near-interface-oxide traps 56
Totale 231
Categoria #
all - tutte 578
article - articoli 393
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 971


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2024/202577 0 0 0 0 0 21 14 4 3 3 14 18
2025/2026154 7 20 18 15 27 7 19 5 14 17 5 0
Totale 231