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Study of in-gap defects in intrinsic and B-doped a-SiC:H by means of optical absorption, Raman spectroscopy and photoluminescence

2005
2005
Istituto per i Processi Chimico-Fisici - IPCF
04.03 Poster in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/100318
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