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TEM study of the origin of the surface microroughness in DSL photoetched Si-implanted GaAs wafers

1990
1990
Inglese
Abstract book
European Mat. Res. Soc. 1990 Fall Meeting
D-P8
Sì, ma tipo non specificato
Nov. 27-30, 1990
Strasbourg (F)
GaAs
Si-implanted
DSL
TEM microroughness
1
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
C. Frigeri a; J.L. Weyher a; M. De Potter b
04.02 Abstract in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/116720
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