CNR Institutional Research Information System

SiGe heteroepitaxy at high growth rates by a new plasma enhanced CVD process

1998
1998
Inglese
D. Gershoni
Proc. of ICPS 24
ICPS 24
978-981-02-3613-7
World Scientific Publ. Co. Pte. Ltd.
Singapore
SINGAPORE
Sì, ma tipo non specificato
August 1998
Jerusalem
9
none
Rosenblad, C; H von Känel, ; Stangl, J; Penn, C; Bauer, G; Schulze, J; Eisele, I; Gusso, M; E Carlino, L Tapfer
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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