CNR Institutional Research Information System

TEM and HRXRD study of strain release in MBE grown InGaAs/GaAs double heterostructure buffer layers

NASI L;FERRARI C;LAZZARINI L;SALVIATI G
1994
1994
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
2-86883-226-1
04.01 Contributo in Atti di convegno
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