Single photon emission from impurity centers in AlGaAs epilayers on Ge and Si substrates

	Anno
	
				2012
			
	Strutture organizzative
	
				Istituto di Fisica Applicata - IFAC
			
	Appare nelle tipologie:
	
				01.01 Articolo in rivista

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/12213

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