We show that wide GaN quantum wells behave like mesoscopic capacitors. The electron-hole pairs, are separated by the spontaneous and piezoelectric polarization fields and accumulated in the well. resulting in a well width dependent screening of the built-in field.

Mesoscopic capacitor effect in GaN/AlGaN quantum wells

Lomascolo M;Passaseo A;
2000

Abstract

We show that wide GaN quantum wells behave like mesoscopic capacitors. The electron-hole pairs, are separated by the spontaneous and piezoelectric polarization fields and accumulated in the well. resulting in a well width dependent screening of the built-in field.
2000
Istituto di Nanotecnologia - NANOTEC
Inglese
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2000)
1
614
4-900526-13-4
Sì, ma tipo non specificato
SEP 24-27, 2000
NAGOYA, JAPAN
12
none
Lomascolo, M; Traetta, G; Passaseo, A; Pomarico, A; Cingolani, R; Di Carlo, A; Lugli, P; Bonfiglio, A; Berti, M; Napolitani, E; Sinha, Sk; Drigo, Av...espandi
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/122212
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