Lattice stress and electrically active defects induced by ion channeling in the initial layers of III-V compounds

L Lazzarini;R Mosca;G Salviati;
1987

1987
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Inglese
87
751
756
Sì, ma tipo non specificato
6
info:eu-repo/semantics/article
262
Franzosi, P; Lazzarini, L; Mosca, R; Salviati, G; Berti, M; Drigo, Av
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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