An enhanced approach to numerical modeling of heavily irradiated silicon devices

F Moscatelli;
2002

2002
Inglese
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171
175
5
1
info:eu-repo/semantics/article
262
F. Moscatelli; A. Santocchia; D. Passeri; G. M. Bilei; B. C. MacEvoy; G. Hall; P. Placidi
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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