Growth conditions analyis and characterization of high perfection InGaAs/InP layers grown by hydride VPE

Les couches épitaxiales InxGa(1-x)As ont été élaborées avec ou sans accord paramétrique sur substrat (InP) par la méthode d'épitaxie en phase vapeur (VPE) dite aux hydrures. La morphologie de surface de ces couches a été étudiée par Microscopie Electronique à Balayage. La microanalyse aux RX, la Microscopie Electronique à Transmission et la Double Diffraction X ont été utilisées pour caractériser le materiau déposé. Le depôt a été réalisé sur des substrats InP orientés (001), dopés p dans la gamme de température 650-670 °C. Les couches obtenues ont un dopage non intentionel d'environ 1016 cm-3.

Both lattice-matched and mismatched InxGa(1-x)As epitaxial layers grown by hydride VPE technique have been characterized by Scanning Electron Microscope for the study of the surface morphology, X-ray microanalysis in a SEM, Transmission Electron Microscope and X- Ray Double Crystal Diffractometry. The layers were deposited on (001) oriented p-type InP substrates at temperature in the 650-670 °C range. The layers resulted to be unintentionally doped to about 1016 cm-3 and their composition was determined by X-ray microanalysis and X-Ray Double Crystal Diffractometry.