Comparative study of microdefects in dislocation-free heavily Si doped VB GaAs by DSL etching, NIR phase contrast microscopy, TEM and X-ray diffuse scattering

1996

1996
Inglese
Abstract book
EXMATEC 96 Workshop, Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies
68
Sì, ma tipo non specificato
12-15/05/96
Freiburg (D)
12
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
JL Weyher, A; K Sonnenberg a, ; T Schober a, ; A Rucki a, ; W Jaegger a, ; P Franzosi b, ; C Frigeri ba IFF, ; Juelich, Forschungzentrum; Juelich, D; ...espandi
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