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Zn3P2 precipitates in dislocation-free LEC InP heavily doped with Zn

1995
1995
Inglese
Abstract book
9th Inter. Conf. on Microscopy of Semiconducting Materials
140
Sì, ma tipo non specificato
20-23 March 1995
Oxford (UK)
InP
precipitates
TEM electron diffraction
1
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
C. Frigeri a; J.L. Weyher a; G.M. Guadalupi b; F. Longo a
04.02 Abstract in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/138067
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