CNR Institutional Research Information System

Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage

Rapisarda M;Mariucci L;Valletta A;Pecora A;Fortunato G
2007
2007
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/150973
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