Transmission electron microscopy of si dots used for single electron storage in floating gate mos memories

Crupi I
2001

2001
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
1-58949-003-7
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/171866
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 0
social impact