CNR Institutional Research Information System

Activation annealing of ultra-low-energy implanted boron in silicon: a study combining experiment and process modeling

Privitera V;Napolitani E;
2000
2000
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION
PHYSICAL-MECHANISMS
SIMULATION
01.01 Articolo in rivista
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