CNR Institutional Research Information System

Determination of excess current due to impact ionization in polycrystalline silicon thin-film transistors

A Pecora;L Mariucci;G Fortunato;
1998
1998
Inglese
WOS:000073468500018
42
4
613
618
6
2-s2.0-0032041564
Sì, ma tipo non specificato
7
info:eu-repo/semantics/article
262
Policicchio, I; Pecora, A; Carluccio, R; Mariucci, L; Fortunato, G; Plais, F; Pribat, D
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
01.01 Articolo in rivista
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