GaAs ve Ge altta?lar üzerine metal organik buhar faz büyütme (MOVPE) tekni?i ile büyütülen GaAs1-xNx (x~%1.0-2.1) üçlü ala??mlar?n?n Raman saç?lmas? ve fotolüminesans (PL) özellikleri incelendi. Yatay reaktörde kaynak olarak Trimetilgalyum (TMGa), AsH3 ve Dimetilhidrazin (DMHy) kullan?ld?. Numuneler DMHy ve di?er kaynaklar aras?ndaki molar oran de?i?tirilerek atmosferik bas?nçta ve 500 C? s?cakl?kta büyütüldü. Büyütülen seyreltik GaAsN yap?s?nda azotun varl???, Raman saç?lmas? spektrumunda yakla??k 470 cm-1 de azot titre?im modunun gözlenmesi ile tespit edildi. 500 cm-1 ve 600 cm-1 aras?nda TO ve LO benzeri ikinci dereceden zay?f Raman pikleri gözlendi. Büyütülen numunelerin PL özellikleri incelendi. GaAs1-xNx yap?s?n?n 77 K"de PL pik enerjisi 1.15 eV gözlenirken, yüksek çözünürlüklü X-???n? k?r?n?m? (HRXRD) tekni?i ile analizi sonucu N içeri?i (x) % 2.1 bulundu. Ge üzerine büyütülen numunelerin PL spektrumu GaAs altta? üzerine büyütülen numunelerden ölçüm s?cakl??? art?kça çok daha fazla geni?ledi?i gözlendi. Ayr?ca numunelerin baz? optik parametreleri spektroskopik elipsometre ölçümleri ile belirlendi.
Growth and characterization of GaAs1-xNx epilayers
G Attolini;
2011
Abstract
GaAs ve Ge altta?lar üzerine metal organik buhar faz büyütme (MOVPE) tekni?i ile büyütülen GaAs1-xNx (x~%1.0-2.1) üçlü ala??mlar?n?n Raman saç?lmas? ve fotolüminesans (PL) özellikleri incelendi. Yatay reaktörde kaynak olarak Trimetilgalyum (TMGa), AsH3 ve Dimetilhidrazin (DMHy) kullan?ld?. Numuneler DMHy ve di?er kaynaklar aras?ndaki molar oran de?i?tirilerek atmosferik bas?nçta ve 500 C? s?cakl?kta büyütüldü. Büyütülen seyreltik GaAsN yap?s?nda azotun varl???, Raman saç?lmas? spektrumunda yakla??k 470 cm-1 de azot titre?im modunun gözlenmesi ile tespit edildi. 500 cm-1 ve 600 cm-1 aras?nda TO ve LO benzeri ikinci dereceden zay?f Raman pikleri gözlendi. Büyütülen numunelerin PL özellikleri incelendi. GaAs1-xNx yap?s?n?n 77 K"de PL pik enerjisi 1.15 eV gözlenirken, yüksek çözünürlüklü X-???n? k?r?n?m? (HRXRD) tekni?i ile analizi sonucu N içeri?i (x) % 2.1 bulundu. Ge üzerine büyütülen numunelerin PL spektrumu GaAs altta? üzerine büyütülen numunelerden ölçüm s?cakl??? art?kça çok daha fazla geni?ledi?i gözlendi. Ayr?ca numunelerin baz? optik parametreleri spektroskopik elipsometre ölçümleri ile belirlendi.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
