We show that either a blueshift or a redshift of the fundamental transition energy can be observed in vertical arrays of InAs/GaAs quantum dots, depending on the spacer thicknesses, and explained by including strain, indium segregation, and Coulomb effects.

Vertical coupling effects in arrays of InAs quantum dots

Gucciardi PG;Frigeri P;Lazzarini L;Salviati G
2001

Abstract

We show that either a blueshift or a redshift of the fundamental transition energy can be observed in vertical arrays of InAs/GaAs quantum dots, depending on the spacer thicknesses, and explained by including strain, indium segregation, and Coulomb effects.
2001
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Istituto per i Processi Chimico-Fisici - IPCF
DETERMINISTIC NUMERICAL-METHODS
ELECTRONIC-STRUCTURE
STRAIN DISTRIBUTION
GROWTH
PATTERNS
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