We show that either a blueshift or a redshift of the fundamental transition energy can be observed in vertical arrays of InAs/GaAs quantum dots, depending on the spacer thicknesses, and explained by including strain, indium segregation, and Coulomb effects.

Vertical coupling effects in arrays of InAs quantum dots

Gucciardi PG;Frigeri P;Lazzarini L;Salviati G
2001

Abstract

We show that either a blueshift or a redshift of the fundamental transition energy can be observed in vertical arrays of InAs/GaAs quantum dots, depending on the spacer thicknesses, and explained by including strain, indium segregation, and Coulomb effects.
2001
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Istituto per i Processi Chimico-Fisici - IPCF
Inglese
224
2
413
417
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/1521-3951%28200103%29224:2%3C413::AID-PSSB413%3E3.0.CO;2-6/abstract
Sì, ma tipo non specificato
DETERMINISTIC NUMERICAL-METHODS
ELECTRONIC-STRUCTURE
STRAIN DISTRIBUTION
GROWTH
PATTERNS
International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2000) Location: TECHN UNIV MUNICH, MUNICH, GERMANY Date: JUL 31-AUG 03, 2000
9
info:eu-repo/semantics/article
262
Taddei, S; Colocci, M; Vinattieri, A; Gucciardi, Pg; Bogani, F; Franchi, S; Frigeri, P; Lazzarini, L; Salviati, G
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