GHz range temperature compensated devices based on quasi-epitaxial piezoelectric AlN thin and thick films

C Caliendo
2005

2005
Istituto dei Sistemi Complessi - ISC
Inglese
CNR; INFM; CNISM
MMDmeeting Matter, Materials and Devices
MMD Meeting
315
316
No
22-25 June, 2005
Genova
1
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Caliendo, C
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/182293
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