Nel corso del 2007 si è ottimizzato il processo di crescita mediante CVD catalizzata, già sviluppato presso IMM-Bologna nell'ambito di un contratto con STMicroelectronics Catania e Napoli e del progetto europeo CANAPE, per la crescita di nanotubi di carbonio a parete singola (SWCNTs), sospesi tra elettrodi di polisilicio drogato sia di tipo p+ che di tipo n+. Si è migliorato il contatto SWNTs/poly-Si e si sono fabbricate nanostrutture con SWNTs sospesi tra elettrodi di poly-Si drogato, su cui si sono effettuate le prime misure elettriche al fine di studiare i contatti CNT/poly-Si, CNT/metallo. La tecnologia messa a punto permetterà di sviluppare i primi dispositivi nanoelettronici basati su nanotubi cresciuti orizzontalmente sugli elettrodi.
Tecnologia di crescita localizzata mediante CCVD di SWCNTs orizzontali sospesi tra elettrodi
Rizzoli R;Angelucci R;Veronese GP;
2007
Abstract
Nel corso del 2007 si è ottimizzato il processo di crescita mediante CVD catalizzata, già sviluppato presso IMM-Bologna nell'ambito di un contratto con STMicroelectronics Catania e Napoli e del progetto europeo CANAPE, per la crescita di nanotubi di carbonio a parete singola (SWCNTs), sospesi tra elettrodi di polisilicio drogato sia di tipo p+ che di tipo n+. Si è migliorato il contatto SWNTs/poly-Si e si sono fabbricate nanostrutture con SWNTs sospesi tra elettrodi di poly-Si drogato, su cui si sono effettuate le prime misure elettriche al fine di studiare i contatti CNT/poly-Si, CNT/metallo. La tecnologia messa a punto permetterà di sviluppare i primi dispositivi nanoelettronici basati su nanotubi cresciuti orizzontalmente sugli elettrodi.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
