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We have performed reflectivity and photoluminescence measurements on a set of InxGa1-xAs | InyGa1-yAs | GaAs(001) stepped/asymmetric quantum wells with an intentionally abrupt change of indium composition (x=0.149

Spontaneous quantum dots formation at InxGa1-xAs/InyGa1-yAs interfaces

Schiumarini D;Selci S;Tomassini;
2002

Abstract

We have performed reflectivity and photoluminescence measurements on a set of InxGa1-xAs | InyGa1-yAs | GaAs(001) stepped/asymmetric quantum wells with an intentionally abrupt change of indium composition (x=0.149
2002
Istituto di Struttura della Materia - ISM - Sede Roma Tor Vergata
Inglese
91-92
0
33
37
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510701009606
Sì, ma tipo non specificato
InGaAs Stepped heterostructures Interface Exciton localization Photoluminescence
6
info:eu-repo/semantics/article
262
Righini, M; Fernándezalonso, F; Schiumarini, D; Selci, S; Tomassini, Norberto; N,
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
01.01 Articolo in rivista
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/185117
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